Silicium, gaufrage (simple face polie), +lt; 111>, N type, ne contient pas de dopant, diamètre x Épaisseur 2 po x 0,5 mm

Code: 647101-5ea D2-231

Non disponible en dehors du Royaume-Uni et de l'Irlande

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1 ea in padded box

5 ea in rigid mailer

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Physical properties

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) ﹤ 100 (cm-2). Resistivity 100 - 3000 Ωcm.

Oxygen content: ≤ 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: ≤ 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

bp2355 °C (lit.)
density2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
diam. × thickness2 in. × 0.5 mm
does not containdopant
formwafer (single side polished), crystalline (cubic (a = 5.4037))
InChI keyXUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
InChI1S/Si
mp1410 °C (lit.)
Quality Level100
semiconductor properties﹤111﹥, N-type
SMILES string[Si]
Code
Description
Unité de vente
Prix annoncé
Qté
647101-1EA
Silicium, gaufrage (simple face polie), +lt; 111>, N type, ne contient pas de dopant, diamètre x Épaisseur 2 po x 0,5 mm

Unité:EACH
Prix annoncé: $173.59
Source:Prix annoncé
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Cas Number7440-21-3
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