Silicium, gaufrage (simple face polie), +lt; 100>, N type, ne contient pas de dopant, diamètre x Épaisseur 2 po x 0,5 mm

Code: 646687-5ea D2-231

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Silicon wafers or a “slice” of substrate find applications in the fabrication of integrated circuits, solar cells etc. They serve as a subst...


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Silicon wafers or a “slice” of substrate find applications in the fabrication of integrated circuits, solar cells etc. They serve as a substrate for various microelectronic devices.

Packaging

1, 5 ea in rigid mailer

Physical properties

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) ﹤ 100 (cm-2). Resistivity 100 - 3000 Ωcm

Oxygen content: ≤ 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: ≤ 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

bp2355 °C (lit.)
density2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
diam. × thickness2 in. × 0.5 mm
does not containdopant
formwafer (single side polished), crystalline (cubic (a = 5.4037))
InChI keyXUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
InChI1S/Si
mp1410 °C (lit.)
Quality Level100
semiconductor properties﹤100﹥, N-type
SMILES string[Si]
Code
Description
Unité de vente
Prix annoncé
Qté
646687-1EA
Silicium, gaufrage (simple face polie), +lt; 100>, N type, ne contient pas de dopant, diamètre x Épaisseur 2 po x 0,5 mm

Unité:EACH
Prix annoncé: $170.38
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Cas Number7440-21-3
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